【一站式】原邊/同步/PD協(xié)議，30W GaN高集成快充方案
芯片亮點(diǎn)
原邊主控、副邊同步、快充協(xié)議均實(shí)現(xiàn)功率集成，外圍精簡(jiǎn)；
PN8782內(nèi)置700V/0.47Ω高壓GaN FET和高壓?jiǎn)?dòng)；
PN8309H集成95V/10mΩ SGT MOS；
AP5811集成30V/10mΩ Loadswitch。
高壓?jiǎn)?dòng)+QR-Lock控制+GaN+同步整流，提升轉(zhuǎn)換效率。
QR-Lock控制，開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)200kHz以上，輸出電壓紋波小，輸入僅需2顆22uF/400V高壓電解電容，顯著降低成本。
通過(guò)HV腳監(jiān)控市電，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)市電欠壓+過(guò)壓雙重保護(hù)，為GaN器件安全運(yùn)行保駕護(hù)航。
DEMO介紹
1
主要規(guī)格
? 輸入電壓：90Vac~264Vac
? 輸出規(guī)格：5V3A, 9V3A, 15V2A, 20V1.5A
? 待機(jī)功耗：<75mW
? 平均效率：滿足CoC_V5_Tier2能效要求
? 輸出電壓紋波：<200mV
? 快充協(xié)議：AP5811支持BC1.2/QC2.0/QC3.0/SCPA/AFC/
PD2.0/PD3.1/PPS/Apple 5V2.4A協(xié)議
2
Demo實(shí)物圖
PCBA尺寸：39mm(L) * 34.5mm(W) * 20mm(H)
3
原理圖
4
變壓器設(shè)計(jì)
電氣規(guī)范:
① 初級(jí)繞組電感量 (Lp) =450±5%uH@10kHz
② 電氣絕緣=3.75kV, 50/60Hz, 1分鐘 (pins1~2 to pins A~B)
5
測(cè)試數(shù)據(jù)
5.1
轉(zhuǎn)換效率
5.2
空載待機(jī)功耗
5.3
輸出電壓紋波
5V3A, VOUT=106mV
9V3A, VOUT=146mV
15V2A, VOUT=124mV
20V1.5A, VOUT=104mV
5.4
市電保護(hù)
BNI: 71.7Vac
BNO: 63.6Vac
OVP: 364Vac
OVP恢復(fù): 335Vac
5.5
功率管應(yīng)力測(cè)試
測(cè)試條件: VIN=264Vac, VOUT=20V1.5A
測(cè)試結(jié)果: PN8782 Vds電壓應(yīng)力562V，小于700V限制，余量充足
PN8782 Vds波形
測(cè)試條件: VIN=264Vac, VOUT=20V1.5A
測(cè)試結(jié)果: PN8309H Vds電壓應(yīng)力79.5V，小于95V限制，余量充足
PN8309H Vds波形
5.6
溫升測(cè)試
VIN=90Vac,
VOUT=20V, IOUT=1.5A
VIN=264Vac,
VOUT=20V, IOUT=1.5A
5.7
傳導(dǎo)&輻射測(cè)試
（1）EMI傳導(dǎo)測(cè)試
VIN=230Vac/50Hz
20V1.5A，L線
VIN=230Vac/50Hz
20V1.5A，N線
（2）EMI輻射測(cè)試
VIN=230Vac/50Hz,
20V1.5A，水平
VIN=230Vac/50Hz,
20V1.5A，垂直
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